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NP110N04PUG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
4
3
100000
10000
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C iss
2
C oss
1000
1
0
V GS = 10 V
I D = 44 A
Pulsed
100
C rss
-100
-50
0
50
100
150
200
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
50
V DD = 32 V
10
100
t r
t d(off)
t d(on)
t f
40
30
20
20 V
8V
V GS
8
6
4
10
V DD = 20 V
V GS = 10 V
10
2
1
R G = 0 ?
0
V DS
I D = 110 A
0
0.1
1
10
100
1000
0
50
100
150
200
250
300
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
1000
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
100
V GS = 10 V
0V
10
1
di/dt = 100 A/ μ s
0.1
Pulsed
10
V GS = 0 V
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
1000
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D16852EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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